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STL120N10F8

Name: STMicroelectronics STL120N10F8
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL120N10F8
Price: 120.44 UYU
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STL120N10F8

Fabricante N.º:

STL120N10F8

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode Standard Level 100V, 4.6mohm max, 125A STripFET F8

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$ -,--

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$ 260,00)

Precio (UYU)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$ 120,44	$ 120,44
	$ 77,66	$ 776,60
	$ 53,48	$ 5.348,00
	$ 42,78	$ 21.390,00
	$ 41,48	$ 41.480,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$ 35,11	$ 105.330,00
	$ 34,83	$ 208.980,00

† $ 260,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerFLAT-5x6-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	125 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	4.6 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	56 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	150 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	STripFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Tiempo de caída:	17 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	16 ns
Serie:	STripFET F8
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	41 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	17 ns
Peso de la unidad:	76 mg

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AUTOMOTIVE STripFET F8 DEVICES: For high-power-density solutions (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STL120N10F8 100V N-Channel STripFET MOSFET

STMicroelectronics STL120N10F8 100V N-Channel Enhancement Mode STripFET MOSFET utilizes ST's STripFET F8 technology featuring an enhanced trench gate structure. It ensures very low on-state resistance while reducing internal capacitances and gate charge for faster and more efficient switching. The STMicroelectronics STL120N10F8 is ideal for switching applications.

STripFET F8 N-Channel Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET F8 N-Channel Power MOSFETs are AEC-Q101 qualified and offer a comprehensive package solution from 30V to 150V to meet all the requirements for very high-power-density solutions. These low-voltage MOSFETs feature STPOWER STripFET F8 technology. STripFET F8 technology saves energy and ensures low noise in power conversion, motor control, and power distribution circuits by cutting both on-resistance and switching losses while optimizing body-diode properties. The STMicroelectronics STripFET F8 N-Channel Power MOSFETs simplify system designs and increase efficiency in applications such as automotive, computer / peripherals, data centers, telecom, solar, power supplies / converters, battery chargers, home / professional appliances, gaming, drones, and more.