High Voltage Fast Switching Transistors

onsemi's high voltage fast switching transistors are bipolar junction transistors that provide ultra-fast switching speeds and low saturation voltage. The FJD5555 offers saturation voltage as low as 0.5V and the FJD5553 as low as 0.23V. The energy-efficient transistors feature a high breakdown voltage of 1050V and are packed in space-conserving 64mm2 DPAK packaging. The devices are ideal for electronic ballast, power supply, and industrial designs.

Resultados: 2
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (UYU) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Configuración Corriente CC máxima de colector Máx. voltaje VCEO colector-emisor Tensión VCBO colector-base Voltaje VEBO emisor-base Voltaje de saturación colector-emisor Dp - Disipación de potencia Temperatura de trabajo máxima Serie Empaquetado

onsemi Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) High Volt Fast Switching Trans 34.798En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) NPN Single 3 A 400 V 1.05 kV 14 V 230 mV 1.25 W + 150 C FJD5553 Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) High Volt Fast Switching Trans 3.144En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) NPN Single 5 A 400 V 1.05 kV 14 V 1.5 V 1.34 W + 150 C FJD5555 Reel, Cut Tape, MouseReel